產(chǎn)品詳情
硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900
上海伯東代理的硬 X射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 900, 與傳統(tǒng)的 XPS（軟X射線光電子能譜）相比, 硬 X射線光電子能譜儀 HAXPES 具有更深的探測(cè)深度, 通?？蛇_(dá)約 30nm, 適用于多層薄膜, 半導(dǎo)體光電器件等樣品的無(wú)損深度分析.
硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900 特點(diǎn)
易操作式多功能選配附件
全自動(dòng)樣品傳送停放
高性能大面積和微區(qū) HAXPES 分析
快速精準(zhǔn)深度剖析
為電池, 半導(dǎo)體, 有機(jī)器件以及其他各領(lǐng)域提供全面解決方案
可聚焦≤ 5μm 的微區(qū) X 射線束斑
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在 PHI GENESIS 900 中,聚焦掃 描X射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI）,利用二次電子影像可以進(jìn)行導(dǎo)航, 精準(zhǔn)零誤差定位, 多點(diǎn)多區(qū)域同時(shí)分析測(cè)試以及深度剖析 |
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大幅提升的二次電子影像(SXI) |
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硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900 應(yīng)用案例
電池
" LiPON / LiCoO? 橫截面的 pA-AES Li 化學(xué)成像”
Li 基材料例如 LiPON, 對(duì)電子束輻照敏感
PHI GENESIS 900 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學(xué)成像
有機(jī)器件: 使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GClB 測(cè)量能帶結(jié)構(gòu)
(1) Cso 薄膜表面
(2) Cso 薄膜表面清潔后
(3) Co 薄膜/Au 界面
(4) Au 表面通過(guò) UPS / LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機(jī)層的能級(jí)結(jié)構(gòu).
半導(dǎo)體: 半導(dǎo)體器件通常由包含許多元素的復(fù)雜薄膜組成, 它們的研發(fā)通常需要對(duì)界面處的化學(xué)態(tài)進(jìn)行無(wú)損分析. 為了從深層界面獲取信息, 例如柵極氧化膜下的 GaN, 使用 HAXPES 是非常有必要的.
微電子: 微小焊錫點(diǎn)分析
HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài) Sn 的含量高于 XPS 分析數(shù)據(jù), 這是由于 Sn 球表面被氧化, 隨著深度的加深, 金屬態(tài) Sn 的含量越高, 正好符合 HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點(diǎn).
什么是硬 X射線光電子能譜 HAXPES
硬X射線光電子能譜 HAXPES 是一種先進(jìn)的表面分析技術(shù), 主要用于研究固體樣品的表面電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)態(tài). HAXPES 利用高能 X射線（例如 CrKα射線, 能量為 5414.7eV）激發(fā)樣品表面的電子. 通過(guò)測(cè)量這些電子的能量分布, 能夠獲得關(guān)于樣品表面的化學(xué)成分和電子結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息. 與傳統(tǒng)的 XPS（軟X射線光電子能譜）相比, HAXPES 具有更深的探測(cè)深度, 通?？蛇_(dá)約 30nm, 適用于多層薄膜, 半導(dǎo)體光電器件等樣品的無(wú)損深度分析.
若您需要進(jìn)一步的了解 硬X射線光電子能譜 HAXPES 詳細(xì)信息或討論,
請(qǐng)聯(lián)絡(luò)上海伯東: 葉女士 13918837267 ( 微信同號(hào) )
